[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202110356067.9 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113496997A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 姜相敏;杨韩光 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L29/423;H01L23/50;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：衬底；在衬底上的下结构，下结构包括第一布线结构、第二布线结构以及覆盖第一布线结构和第二布线结构的下绝缘结构；第一图案层，包括板部分和通路部分，板部分在下绝缘结构上，通路部分从板部分的下部延伸到下绝缘结构中并与第一布线结构重叠；石墨烯装碳材料层，在通路部分与第一布线结构之间与通路部分和第一布线结构接触；栅极层，在第一图案层上在垂直于衬底的上表面的垂直方向上堆叠并彼此间隔开；以及存储垂直结构，在垂直方向上贯穿栅极层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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