[发明专利]阻挡层形成方法以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110356977.7 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113496893A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 中野竜 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种即使在基底层具有高的深宽比的三维构造的情况下也能够使掺杂剂在该基底层内均匀地分布的阻挡层形成方法。在阻挡层形成方法中，在具有三维构造的基底层上形成含掺杂剂层之前，在所述基底层上形成阻挡层。此时，使用原子层沉积(ALD)工艺，在所述三维构造的高度方向上对所述阻挡层的膜厚、膜质以及膜种中的至少一者进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 形成 方法 以及 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
