[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202110357043.5 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113555421A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 朱熙甯;江国诚;王志豪;程冠伦;陈冠霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体结构。半导体结构包括第一全绕式栅极场效晶体管及第二全绕式栅极场效晶体管，第一全绕式栅极晶体管与第二全绕式栅极晶体管可形成于基板上。第一全绕式栅极晶体管包括至少一硅板、第一栅极结构、第一源极区与第一漏极区。第二全绕式栅极晶体管包括至少一硅锗板、第二栅极结构、第二源极区与第二漏极区。第一全绕式栅极晶体管可为n型场效晶体管，而第二全绕式栅极晶体管可为p型场效晶体管。第一栅极结构与第二栅极结构的栅极可包含相同导电材料。每一硅板与每一硅锗板可为单晶，且对于米勒指数可具有相同的结晶取向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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