[发明专利]金刚石半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 202110357393.1 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113089093B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 张粉红;李熙规 | 申请（专利权）人： | 化合积电（厦门）半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/04;C23C16/27;C23C16/511 |
| 代理公司： | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金刚石半导体结构的形成方法，包括：在提供氢气和甲烷的条件下，且在未加入催化气体的条件下，采用微波等离子体化学气相沉积法，在衬底上，进行金刚石生长初始阶段，以在衬底上生长第一多晶金刚石层；在提供氢气和甲烷的条件下，且在加入催化气体的条件下，继续采用微波等离子体化学气相沉积法，在第一多晶金刚石层上，进行金刚石生长加速阶段，以在第一多晶金刚石层上生长第二多晶金刚石层；对第二多晶金刚石层进行匹配研磨。本发明从产业化的角度提供一种工艺效率高且产品质量好的金刚石半导体结构的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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