[发明专利]晶圆键合方法及晶圆键合结构在审
| 申请号： | 202110358013.6 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113223999A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 卢基存;周华 | 申请（专利权）人： | 光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 200000 上海市杨*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆键合结构及晶圆键合方法，键合方法包括三种：第一种包括：第一晶圆和第二晶圆通过粘接层键合，制造第二晶圆硅通孔和粘接层通孔，电镀形成两个晶圆之间的铜通孔连接；第二种包括：制造第二晶圆硅通孔，第一晶圆上涂布粘接层，制造第一晶圆上粘接层通孔，第一晶圆和第二晶圆通过粘接层结合，电镀形成两个晶圆之间的铜通孔连接；第三种包括：制造第二晶圆硅通孔，第一晶圆上涂布粘接层，第一晶圆和第二晶圆通过粘接层结合，透过第二晶圆硅通孔腐蚀制造粘接层通孔，电镀形成两个晶圆之间的铜通孔连接。本发明优势是晶圆铜通孔连接在室温下批量生产完成，室温下晶圆形变小，热应力小，晶圆不易断裂。可以简单地实现多层晶圆的键合。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 方法 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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