[发明专利]一种半导体晶圆阶梯切割用高强度划片刀及制作方法有效
| 申请号： | 202110359262.7 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113172779B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 闫贺亮;邵俊永;王战;乔帅;董峰;窦文海;陈月涛;高鹏 | 申请（专利权）人： | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/02 | 分类号： | B28D5/02;B24B1/00;C25D3/12;C25D7/00;C25D15/00;C25D21/10;H01L21/78 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 程世芳 |
| 地址： | 450001 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种半导体晶圆阶梯切割用高强度划片刀及制作方法，刀刃靠近盘状基体段的厚度大于远离盘状基体段的厚度，消除电镀过程中尖端效应导致的刀刃根部过于薄弱的缺点，可以将刀刃长度做的更长，进而可以提高划片刀划切半导体晶圆的使用寿命；从原理上实现刀刃厚度一致，可以直接提高划片刀的极限转速和进刀速度，进而可以提高加工效率；刀片反复参与切割，刀刃根部疲劳断裂容易导致的过早断刀，而刀刃根部的强化可以延迟断刀的发生，刀刃根部的强化，可以减少切割过程中的刀刃摆动，减少切割过程中的正崩、背崩以及侧裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 阶梯 切割 强度 划片 制作方法 | ||
【主权项】：
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