[发明专利]一种三明治结构硅基薄膜电极体系及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110359473.0 申请日: 2021-04-02
公开(公告)号: CN113097449B 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 廖宁波;许轲 申请(专利权)人: 温州大学
主分类号: H01M4/134 分类号: H01M4/134;H01M4/62;H01M4/38;H01M10/0525;H01M4/1395
代理公司: 杭州万合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33294 代理人: 余冬;万珠明
地址: 325006 浙江省温州市瓯海区瓯海*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种三明治结构硅基薄膜电极体系及其制备方法,包括硅基板,硅基板上覆盖有一层SiCN阻挡层,SiCN阻挡层上覆盖有一层Al薄膜层,Al薄膜层上覆盖有一层SiAlCO过渡层,SiAlCO过渡层上设有负极材料层;所述的负极材料层由两层硅膜层和一层位于硅膜层中间的SiAlCO层组成。本发明可以大大缓解硅薄膜在充放电时的产生体积变化,从而解决了薄膜电极循环稳定性差和倍率性能差的不足的问题。
搜索关键词: 一种 三明治 结构 薄膜 电极 体系 及其 制备 方法
【主权项】:
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