[发明专利]一种锰氧化物电磁调控构建多场耦合人工突触的方法有效
| 申请号： | 202110361789.3 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113193111B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 温嘉红;杨博楚;赵晓宇;周铁军 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85;H10N50/01;H10N70/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锰氧化物电磁调控构建多场耦合人工突触的方法，包括以下步骤：(1)依次将金属、阻变层和钙钛矿锰氧化物沉积于衬底上，形成模拟突触功能的元器件；(2)金属作底电极，钙钛矿锰氧化物生长的圆柱型阵列作顶电极，或者在钙钛矿锰氧化物薄膜上生长一层金属作顶电极；(3)对元器件施加外场，对钙钛矿锰氧化物薄膜的氧离子的迁移和分布进行调控。该方法利用具有优异电磁特性的忆阻异质结，在电致电阻效应的基础上，对阻变单元阵列加以外场调控，获得多场诱导的多重电阻态，再通过外场调控阻变单元中氧离子的迁移，模拟突触的强度分布和可塑性，构建人工突触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 电磁 调控 构建 耦合 人工 突触 方法 | ||
【主权项】：
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