[发明专利]一种自旋场效应晶体管、制备方法以及电路在审
| 申请号： | 202110361894.7 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113270489A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陆显扬;闫鑫;周建;赵俊峰;唐文涛;罗时江 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 张翠华 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种自旋场效应晶体管、制备方法以及电路，本申请提供的自旋场效应晶体管包括漏极、源极以及沟道层。漏极、源极均位于沟道层之上，源极和漏极均包括复合磁性薄膜，该复合磁性薄膜包括堆叠的第一磁性薄膜和第二磁性薄膜，第一磁性薄膜和第二磁性薄膜的材料不同。在本申请中，通过改变对源极施加的电流，可以改变漏极中的磁化方向，进而使得漏极和源极的磁化方向呈现不同的状态，实现自旋场效应晶体管的高低阻态。可见，自旋场效应晶体管在工作时，不再需要施加磁场，只需施加电流，工作方式较为简单，能够有效减少自旋场效应晶体管的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自旋 场效应 晶体管 制备 方法 以及 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司，未经华为技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110361894.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一株黄色杆菌T21及其应用
- 下一篇：一种便携式多功能防疫检测仪
- 同类专利
- 专利分类
