[发明专利]砷化镓晶体和砷化镓晶体基板在审
| 申请号： | 202110362301.9 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN113215662A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 福永宽;秋田胜史;石川幸雄 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B11/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;牛嵩林 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm |
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| 搜索关键词： | 砷化镓 晶体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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