[发明专利]一种硒化亚锗或硫化亚锗多晶薄膜及其制备方法和用途

摘要

本发明涉及一种硒化亚锗或硫化亚锗多晶薄膜，所述薄膜是在水溶性还原剂、锗源、硫或硒源通过水热法在基底上形成非晶膜后，再进行退火处理得到，多晶薄膜的晶粒以站立取向生长。对于硒化亚锗或硫化亚锗多晶薄膜，其XRD分别在晶面(111)出峰，该晶面为晶粒站立取向，有利于载流子的传输，从而得到光电性能优异的硒化亚锗多晶薄膜。本发明方法不需要气相法通常需要的设备复杂，且需要精确控制工艺参数，而该方法操作设备简单,反应过程较易可控,可大面积生产，同时有利于对薄膜进行掺杂或者合金化处理，所制备的薄膜表面平整，晶粒均一。