[发明专利]集成芯片及用于形成沟槽电容器的方法

摘要

本公开的各个实施例针对具有用于良品率改进的沟槽图案的沟槽电容器。沟槽电容器位于衬底上并且包括多个电容器段。电容器段根据沟槽图案延伸到衬底中并且在轴线上以间距隔开。多个电容器段包括位于沟槽电容器的边缘处的边缘电容器段和位于沟槽电容器的中心处的中心电容器段。边缘电容器段的宽度大于中心电容器段的宽度和/或边缘电容器段处的间距大于中心电容器段处的间距。更大的宽度可以促进应力吸收，并且更大的间距可以增加沟槽电容器的热膨胀应力最大的边缘处的衬底刚度，从而减少衬底弯曲和沟槽耗竭以改进良品率。本申请的实施例提供了集成芯片及用于形成沟槽电容器的方法。