[发明专利]一种碳化硅晶体制备方法有效
| 申请号： | 202110362787.6 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113113290B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王宇;杨田 | 申请（专利权）人： | 眉山博雅新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人： | 杨永梅 |
| 地址： | 620010 四川省眉*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本说明书实施例公开了一种碳化硅晶体制备方法，包括：(1)选取至少一个衬底，对至少一个衬底进行抛光处理和清洗处理；(2)在第一条件下，通入氢气对至少一个衬底进行原位刻蚀处理；(3)在第二条件下，通入丙烷和氢气对至少一个衬底进行碳化处理；(4)在第三条件下，通入硅烷、丙烷和氢气，在至少一个衬底上通过气相沉积生长碳化硅晶体，得到包括衬底和碳化硅晶体的至少一个组合晶体；(5)将组合晶体置于温度为500～1200℃的环境中至少冷却降温至少1h；(6)将组合晶体置于室温环境中降温；(7)将组合晶体加热到50～100℃内，使用刻蚀溶液在50～100℃下对组合晶体进行超声清洗第一时长，得到基面位错密度为120‑2000cm‑2的碳化硅晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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