[发明专利]一种单向可控硅芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202110363301.0 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113097299A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王成森;钱清友;张思洁 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 荣颖佳 |
| 地址： | 226200 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 提供本发明公开了一种单向可控硅芯片及其制造方法，芯片包括盆形阴极区、阳极区、长基区、盆形短基区、环形门极、阳极、阴极、表面钝化膜，制造方法包括以下步骤：硅单晶片选择；硅片抛光；氧化；双面光刻阴极区对通隔离窗口；磷予沉积；双面光刻短基区对通窗口；离子注入铝；去胶；对通扩散；光刻正面阳极区窗口和背面短基区窗口；双面离子注入硼；双面推结；去除背面氧化层；背面阴极区扩散；光刻引线孔；正面蒸镀铝膜；反刻铝电极：用反刻版进行光刻；合金；背面喷砂；背面蒸镀电极；芯片测试；锯片；包装。本发明具有器件底板直接安装在散热器上并接地，且具有低热阻的优点；同时克服了封装过程中底部焊料与短基区短路的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单向 可控硅 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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