[发明专利]一种晶体制备装置及生长方法有效
| 申请号： | 202110363899.3 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113106541B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王宇;杨田;梁振兴 | 申请（专利权）人： | 眉山博雅新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/00 | 分类号： | G01J5/00;C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人： | 严芳芳 |
| 地址： | 620010 四川省眉*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本说明书提供一种晶体制备装置及晶体生长方法。该装置包括：生长腔体；至少一个加热单元位于生长腔体内部，其中，至少一个加热单元包括至少一个流通通道，至少一个流通通道贯穿至少一个加热单元，在晶体生长过程中，至少一个加热单元上表面放置源材料。该方法包括：将籽晶和源材料置于生长腔体中生长晶体，其中，源材料分布在位于生长腔体内的至少一个加热单元上表面，其中，至少一个加热单元包括至少一个流通通道，至少一个流通通道贯穿至少一个加热单元；在晶体生长过程中，基于温度传感组件获得的晶体生长时生长腔体内的温度控制至少一个加热单元的至少一个参数，使晶体生长时生长腔体内的径向温差不超过晶体生长温度的第一预设范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 制备 装置 生长 方法 | ||
【主权项】：
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