[发明专利]一种掺锡二维硫化钼及其制备方法、应用有效
| 申请号： | 202110365281.0 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113174639B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 张骐;王和淼;应豪挺;张永军 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B29/64;C30B25/00;B82Y30/00;B82Y40/00;B82Y20/00;H01L31/032 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掺锡二维硫化钼及其制备方法、应用，该制备方法简单易行、可控，按本发明提供的技术方案解决了一种锡掺杂二维硫化钼材料的制备问题，包括安全廉价的制备设备及反应原料获得，简易可行的全程无污染的工艺流程，所获得的材料厚度小于10nm，并且保留了母相的晶体结构，无第二相或合金化，掺杂后二维硫化钼材料光电性能的显著提升，为纳米电子器件和光电功能器件的潜在应用提供了材料基础，符合未来工业化生产需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 硫化 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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