[发明专利]一种四氟化硅的制备方法及装置

摘要

本发明涉及一种四氟化硅的制备方法及装置，属于氟化物制备技术领域。所述方法和装置通过SiO2与H2反应将SiO2还原为Si，通入氟气和氮气混合气体，将Si与F2氟化反应得粗品SiF4，粗品SiF4收集至低温储罐，对低温储罐抽真空去除轻组分杂质，得到高纯SiF4。所述装置主要包括：反应塔、分层板、真空管路、出料管路、除尘器、过滤器、氢气管路、混合气体管路、排净管路、冷却釜、冷却柱、冷却管路、分析管路和放空管路。所述制备方法及装置简单高效，原料来源广泛，成本低，制得SiF4纯度高达99.999％；不会引入新的难以去除的杂质，解决了目前四氟化硅制备方法中酸度大，生成物不易处理，易挂壁等问题。