[发明专利]一种基于表面态吸收原理的垂直耦合透明光电探测器有效
申请号: | 202110367097.X | 申请日: | 2021-04-06 |
公开(公告)号: | CN113140650B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 胡小龙;刘海毅;王昭;张子彧;邹锴 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0352 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 李林娟 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于表面态吸收原理的垂直耦合透明光电探测器,所述垂直耦合透明光电探测器包括:探测器和信号读出电路;所述探测器由光敏面、氧化层、金电极、及衬底组成,光敏面由半导体材料制成,待测光源为能量低于半导体禁带宽度的光源;待测光源入射到光敏面上时,通过边界态吸收造成光敏区导纳的变化;信号读出电路以器件导纳作为读出信号,待测光几乎无损耗地穿过所述探测器,从而实现对待测光的非侵入式探测。本发明拓宽了光电探测器的应用场景。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 表面 吸收 原理 垂直 耦合 透明 光电 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的