[发明专利]一种基于双脉冲测试的碳化硅MOSFET关断过程建模方法有效
| 申请号： | 202110367212.3 | 申请日： | 2021-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN113076712B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 黄志召;康勇;陈材;刘新民;熊勇;李宇雄 | 申请（专利权）人： | 武汉羿变电气有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/23;G06F17/13 |
| 代理公司： | 武汉瑞创星知识产权代理事务所(普通合伙) 42274 | 代理人： | 叶小勤 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于双脉冲测试的SiC MOSFET关断过程建模方法，包括如下步骤：搭建基于SiC MOSFET的双脉冲测试电路；基于所述SiC MOSFET关断过程中的各中间模态，建立各中间过程的等效电路；基于各中间过程的等效电路，建立关断过程的状态空间方程组；对所建立的微分方程组进行求解，从而得出基于SiC MOSFET的双脉冲测试电路的关断过程模型。本发明在传统关断模型的基础上提出了一种新的中间模态，能够用于分析极低损耗的关断过程；同时本模型充分考虑了回路中寄生参数以及SiC器件本身的非线性参数，保证了很高的计算精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 脉冲 测试 碳化硅 mosfet 过程 建模 方法 | ||
【主权项】：
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