[发明专利]一种基于Ge2在审

专利信息
申请号: 202110367219.5 申请日: 2021-04-06
公开(公告)号: CN113253575A 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 魏涛;魏劲松;刘波;胡敬;程淼;刘倩倩;李宛飞;凌云 申请(专利权)人: 苏州科技大学
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027;H01L21/3065
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 王玉仙
地址: 215000 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及一种基于Ge2Sb2Te5光刻胶的全干法光刻与刻蚀方法及应用,该方法包括以下步骤:在基片上沉积一层掺杂的Ge2Sb2Te5光刻胶,对所述掺杂的Ge2Sb2Te5光刻胶进行曝光;对曝光后的所述Ge2Sb2Te5光刻胶进行干法显影,形成图形窗口;对基片上与所述图形窗口对应的区域进行干法刻蚀;除去残留的所述Ge2Sb2Te5光刻胶,最终得到具有所述图形窗口的所述基片。本申请所采用的光刻与刻蚀工艺简单,成本低廉,无污染,同时整个光刻与刻蚀过程不涉及腐蚀溶液,具有全干法的特征,为在全真空环境进行半导体器件制造提供了条件。
搜索关键词: 一种 基于 ge base sub
【主权项】:
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