[发明专利]一种高介电低损耗钛酸钡基陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 202110368986.8 | 申请日： | 2021-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN113045307B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 李涛;代海洋;刘德伟;薛人中;陈靖 | 申请（专利权）人： | 郑州轻工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 郑州豫原知识产权代理事务所(普通合伙) 41176 | 代理人： | 吴小传 |
| 地址： | 450000 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高介电低损耗钛酸钡基陶瓷，涉及电子材料技术领域。所述钛酸钡基陶瓷包括钛酸钡及所述钛酸钡中共掺杂的氧化铜和氧化铋；所述钛酸钡、氧化铜、氧化铋质量占比为(1‑x)：0.5x：0.5x，其中，x取值范围为0＜x≤0.7％；所述钛酸钡基陶瓷的相对密度为94.68～96.69％。本发明采用Bi |
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| 搜索关键词： | 一种 高介电低 损耗 钛酸钡 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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