[发明专利]一种适用于晶格失配外延材料的RT探测器及其应用有效
| 申请号： | 202110370564.4 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113252205B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 刘雪珍;张小宾;高熙隆;刘建庆;杨文奕 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01K11/00 | 分类号： | G01K11/00;G01N21/55;H01L31/12 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于晶格失配外延材料的RT探测器及其应用，该适用于晶格失配外延材料的RT探测器包含一个光源和若干个子接收器；所述若干个子接收器的分布方式为阵列式分布；所述光源用于发出入射光，所述入射光传播到外设外延片表面形成光信号；所述子接收器用于接收由对应外延片形成的光信号，并对所接收的光信号进行光电转换以获得电信号；其实现了晶格失配结构外延片生长过程中生长温度的精确监控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 晶格 失配 外延 材料 rt 探测器 及其 应用 | ||
【主权项】：
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