[发明专利]一种栅极FET混频器在审
| 申请号： | 202110370901.X | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113114114A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 黄炜;刘晓晖 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03D7/12 | 分类号： | H03D7/12 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周刘英 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅极FET混频器，属于混频器技术领域。本发明的栅极FET混频器包括：双工器、输入匹配、栅极偏置、漏极偏置、输出匹配、射频滤波器和FET管，且双工器通过输出匹配电路与FET管的栅极连接，栅极电源通过输入端射频扼流电路注入FET管栅极，漏极电源通过输出端射频扼流电路注入FET管漏极，使得FET管工作在混频效果最好的状态。混频输出信号通过输出匹配网络完成FET与负载的匹配，并通过射频滤波器滤除输出端的直流信号和杂散信号。由于输入端采用了双工器的结构，使得混频器即使在中频信号频率较高的情况下也与本振有很好的隔离特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 fet 混频器 | ||
【主权项】：
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