[发明专利]长量程光学自参考位移传感器有效
| 申请号： | 202110371245.5 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN112857232B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 武京治;王艳红;杨恒泽;李孟委 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01B11/02 | 分类号： | G01B11/02 |
| 代理公司： | 厦门市天富勤知识产权代理事务所(普通合伙) 35244 | 代理人： | 唐绍烈 |
| 地址： | 030051*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开长量程光学自参考位移传感器，包括由上至下依次的金膜层、上玻璃层、间隙层、下玻璃层和硅基底，金膜层用于通过电流，所述金膜层的厚度为100nm，所述金膜层上蚀刻有双纳米孔，双纳米孔包括两个相交的圆形纳米孔，所述双纳米孔下方的间隙层中对应设置有两个并排排列的效应块，该效应块为金纳米块。在电磁波垂直照射下，本发明的结构在激发anapole模式的对应波长处会表现出反射率急剧减小，利用这一模式，通过测量该结构反射光谱的变化来间接反映待测物体的位移，从而实现位移的探测。 | ||
| 搜索关键词： | 量程 光学 参考 位移 传感器 | ||
【主权项】：
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