[发明专利]基于单光子雪崩二极管的范围检测装置有效
| 申请号： | 202110371371.0 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN113108818B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | J·K·莫雷;庄彩新 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(RD)有限公司 |
| 主分类号： | G01D5/26 | 分类号： | G01D5/26;G01D18/00;G01S7/4863;G01S7/497;G01S17/10;G01S17/894;G09G3/3216;G09G3/3283;H01L29/06;H01L31/02;H01L31/107;H05B45/00;H05B47/18 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及基于单光子雪崩二极管的范围检测装置。其包括：单光子雪崩二极管参考阵列，被配置成用于经由内部耦合路径接收来自照明源的光；单光子雪崩二极管返回阵列，被配置成用于经由外部自由空间路径接收来自该照明源的光；校准脉冲发生器，被配置成用于生成校准信号脉冲；读出电路系统，被配置成用于接收：该参考阵列经由参考信号路径的输出；该返回阵列经由返回信号路径的输出；以及该校准脉冲发生器经由校准信号路径的输出，该校准信号路径包括基本上遵循该参考信号路径的第一信号路径，其中该读出电路系统被配置成用于基于该校准脉冲发生器经由该校准信号路径的该输出来确定该参考信号路径与该返回信号路径之间的延迟差值。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 光子 雪崩 二极管 范围 检测 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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