[发明专利]半导体结构及其制造方法、半导体器件有效
| 申请号： | 202110371706.9 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113241335B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 吴桐 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，半导体结构包括：半导体基板，具有相对设置的第一表面及第二表面；硅通孔结构，贯穿半导体基板，硅通孔结构内填充有导电材料；第一空气间隙，设置在硅通孔结构的外围，且沿垂直半导体基板的方向延伸，第一空气间隙具有第一开口，第一开口位于第一表面；第二空气间隙，设置在硅通孔结构的外围，且沿垂直半导体基板的方向延伸，第二空气间隙具有第二开口，第二开口位于第二表面。本发明在硅通孔结构的外围设置两个空气间隙，降低了硅通孔变形及寄生效应对半导体结构的影响，且第一空气间隙及第二空气间隙的开口位于半导体基板的不同表面，制程简单，易于实现，且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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