[发明专利]一种透明多值非易失阻变存储单元及其制备方法在审
| 申请号： | 202110371967.0 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113113536A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 尼浩;付强;刘学锋;杨金伟;解东港;张凤;王毅;张琛 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（华东） |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266580 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种透明多值非易失阻变存储单元及其制备方法，属于半导体固态存储器技术领域。存储单元由底电极、铁电单晶层、阻变层和顶电极所构成；底电极制备在铁电单晶层的下表面，阻变层制备在铁电单晶层的上表面；阻变层上制备有两个电极构成的顶电极。两个顶电极作为电阻状态的读取电极，其中一个顶电极与底电极一起构成了电阻状态的写入电极。组成存储单元的各个部分皆选用透明的材料。该存储单元具有结构简单、稳定性强、透明、非易失性以及可以工作在室温的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 多值非易失阻变 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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