[发明专利]一种半导体器件的形成方法、锗光电探测器的制备方法在审
| 申请号： | 202110373289.1 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113299550A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 崔中正;李志华;唐波;张鹏;杨妍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18;H01L31/101 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘贺秋 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明能够提供一种半导体器件的形成方法、锗光电探测器的制备方法。该器件形成方法包括：提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成二氧化硅层；刻蚀二氧化硅层，以在二氧化硅层上形成凹槽，并露出半导体衬底；在凹槽内通过外延生长的方式形成金属锗层，对金属锗层进行化学机械平坦化处理，以去掉凸出于二氧化硅层上的金属锗；通过负性光刻胶腐蚀掉化学机械平坦化处理过程中在金属锗层上表面形成的损伤层。本发明创新地在对金属锗层进行CMP工序后在锗层上旋涂负性光刻胶，利用负性光刻胶的轻微腐蚀性较好地腐蚀掉抛光后的锗损伤层，从而极大地提高金属锗层质量，进而明显提高了器件的性能，而且具有工艺上易实现且投入成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 光电 探测器 制备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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