[发明专利]基于二维材料的共电极三维器件结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种基于二维材料的共电极三维器件结构及其制作方法，三维器件结构包括：衬底、第一二维材料功能层、第一二维材料介质层、二维材料共栅极层、第二二维材料介质层、第二二维材料功能层、源极及漏极，第一、二二维材料功能层形成有源区及漏区，源极连接多个源区并实现源区的电引出；漏极连接多个漏区并实现漏区的电引出。本发明实现了二维材料场效应晶体管的垂直互联设计，所用绝缘介质层、功能层、栅电极等均为二维材料，二维材料垂直方向尺寸极小，可以极大程度缩减器件垂直方向尺度，因此本发明可有效实现垂直方向的三维器件集成小型化。