[发明专利]一种自对准的场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110374319.0 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113299599A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈敏;孙春明;戴维;符志岗;欧新华;袁琼;朱同祥;邱星福;刘宗金 | 申请（专利权）人： | 上海芯导电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 党蕾 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自对准的场效应晶体管及其制备方法，于硅基外延层的表面和栅极多晶硅的表面依次形成第二氧化层和第二介质层，于栅极多晶硅两边的侧壁区域有侧壁的第二介质层，刻蚀第二介质层并保留侧壁的第二介质层，由侧壁的第二介质层形成接触孔的自对准，刻蚀第二氧化层和硅基外延层形成接触孔。可不通过光刻对准的方式形成有源区接触孔，而是采用侧壁介质层的形式形成有源区接触孔，在器件尺寸进一步缩小时，降低对准难度，优化器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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