[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202110376032.1 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN113224059A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 金智熏 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/768;H01L49/02;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 程丹辰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括：在第一方向和第二方向上布置在衬底上的多个下电极，第一方向平行于衬底的主表面，第二方向平行于衬底的主表面且垂直于第一方向；以及支撑结构图案，其在衬底上被构造为将所述多个下电极彼此连接以支撑所述多个下电极，并且包括多个开口部分。所述多个开口部分具有在第二方向上比在第一方向上延伸得更长的形状，并且当从所述多个开口部分的内侧被观察时，所述多个开口部分在第一方向上凸出并且在第二方向上凹入。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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