[发明专利]一种基于进气分布控制的等离子体密度分布调控方法在审
| 申请号： | 202110376609.9 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113113283A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 李志炜;范斌;雷柏平;邵俊铭;罗倩;刘盾;高国涵;辛强;刘海涛;毛羽丰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 杨学明 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于进气分布控制的等离子体密度分布调控方法，利用对等离子体放电密度分布的实时监测反馈，对进气气流分布进行即时调控，从而调控等离子体密度分布乃至等离子体放电状态。该发明可以实时、精确调控等离子体放电状态，获得需要的等离子体密度分布，或者基于闭环控制维持稳定的等离子体放电状态。调控原理简单，易于实现，适用于半导体行业等离子体均匀去除或者光学加工领域的等离子体稳定去除工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 分布 控制 等离子体 密度 调控 方法 | ||
【主权项】：
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