[发明专利]一种阈值转变器件及其制备方法有效
申请号: | 202110377419.9 | 申请日: | 2021-04-08 |
公开(公告)号: | CN113113537B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 李祎;卢一帆;李灏阳;缪向水 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H10N70/20 | 分类号: | H10N70/20 |
代理公司: | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人: | 彭翠;曹葆青 |
地址: | 430074 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明属于半导体器件技术领域,提供了一种阈值转变器件及其制备方法,该阈值转变器件包括第一电极层、第二电极层以及介质材料层,所述介质材料层位于所述第一电极层与所述第二电极层之间,在电压的作用下所述第二电极层的金属离子通过所述介质材料层向所述第一电极层迁移;所述介质材料层为至少三层的多层堆叠结构,其中,所述介质材料层中所含层数为奇数,奇数层为化学计量氧化物,偶数层为过量氧含量氧化物。本发明提供的阈值转变器件能够提供高开态电流,高开关比,同时具备良好的一致性和耐久性。且该阈值转变器件结构简单,容易制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 阈值 转变 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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