[发明专利]二氧化钛中间层修饰陶瓷基TFN正渗透膜的方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202110377424.X 申请日: 2021-04-08
公开(公告)号: CN113041864A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 王栋;赵志育;董应超;付茂 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: B01D71/76 分类号: B01D71/76;B01D71/56;B01D71/02;B01D69/12;B01D67/00;B01D65/10;B01D61/00
代理公司: 大连星海专利事务所有限公司 21208 代理人: 杨翠翠
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 二氧化钛中间层修饰陶瓷基TFN正渗透膜的方法及其应用,其属于环境膜分离技术领域。引入纳米复合二氧化钛中间层,改善了支撑层的表面性质,为界面聚合提供良好的生长条件,同时引入新型多孔纳米材料MOF‑801,生长出更为致密的聚酰胺层,多孔的MOF‑801材料为水和溶剂分子的转输提供了额外的低阻力转输通道,提高了水通量和有机溶剂通量,同时聚酰胺膜和MOF‑801适当的孔径都有效地阻挡盐离子的通过,从而降低了反向盐通量,可以有效解决膜渗透性与选择性权衡问题,为活性层的结构设计提供了新思路和新方法。
搜索关键词: 氧化 中间层 修饰 陶瓷 tfn 渗透 方法 及其 应用
【主权项】:
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