[发明专利]多芯片倒装焊三层封装结构的底填灌封方法在审
| 申请号： | 202110377493.0 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113113325A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 熊化兵;李金龙;胡琼 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 何君苹 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多芯片倒装焊三层封装结构的底填灌封方法，包括：制作多芯片倒装焊三层封装结构，并使其整体温度保持在100℃～120℃；采用送胶针管从三层封装结构侧面的缝隙处伸入并注入灌封胶；当三层封装结构四周的侧面均可见灌封胶时，停止注入灌封胶；停止加热；将三层封装结构放入烘箱中进行灌封胶胶体固化。本发明中，灌封胶进入三层封装结构后在热力作用下能够获得很低的粘度和良好的流动性，通过毛细管虹吸作用自然流散，均匀在缝隙中扩散，有效避免在缝隙中形成空洞，解决了三层封装结构的灌封工艺难题，并能一次性实现芯片底部填充与封装体灌封；灌封后三层封装结构四面缝隙处灌封胶流散均匀圆润，无需后续进行加工或打磨。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 倒装 三层 封装 结构 底填灌封 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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