[发明专利]一种钙钛矿/硅叠层太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110378799.8 申请日: 2021-04-08
公开(公告)号: CN113193002A 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 刘明侦;崔翔;胡逾超;李发明 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L27/30 分类号: H01L27/30;H01L51/46;H01L51/48;H01L51/44;B82Y10/00;B82Y40/00
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 甘茂
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于太阳能电池技术领域,提供一种钙钛矿/硅叠层太阳能电池及其制备方法,用以克服现有技术中钙钛矿材料界面钝化不能实现多类型缺陷的同步钝化、载流子界面复合的抑制效率不高等问题。本发明通过在钙钛矿/硅叠层电池的钙钛矿吸光层与空穴传输层之间引入有机离子型修饰剂钝化层,实现界面多类型缺陷的同步高效钝化,显著降低缺陷态密度;同时,有效防止界面处的晶格失配,进一步优化缺陷钝化效果。综上,本发明的钙钛矿/硅叠层太阳能电池具有更低的缺陷态密度,更高的短路电流密度、开路电压,显著提升了钙钛矿/硅叠层太阳能电池的整体性能;并且,有机离子型修饰剂钝化层合成工艺成熟,价格低廉,具有高效、稳定且低成本的优点。
搜索关键词: 一种 钙钛矿 硅叠层 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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