[发明专利]一种降低主结体电场的积累场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202110379146.1 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113270477A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;王彦东;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 唐沛 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开一种降低主结体电场的积累场效应晶体管及其制作方法。该器件中设置积累介质层，覆盖P型基区与N |
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| 搜索关键词： | 一种 降低 主结体 电场 积累 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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