[发明专利]制造半导体致冷件所用的材料、半导体晶粒和致冷件在审
| 申请号： | 202110379634.2 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113161470A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陈建民;赵丽萍;张文涛;惠小青;李永校;蔡水占;钱俊有;张建中;任保国;韩笑;冯玉洁;王军霞 | 申请（专利权）人： | 河南鸿昌电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 461500 河南省许昌*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体生产工艺技术领域，具体地说是涉及制造半导体致冷件所用的材料，包括N型半导体材料和P型半导体材料；所述的N型半导体材料按照重量份为含有四碘化碲1～1.5、硒33～35、碲620～650、铋790～800、铜2～4、银1～2；所述的P型半导体材料按照重量份为含有硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲620～650，铜2～4、银1～2，还涉及一种半导体晶粒和一种半导体致冷件。这样的制造半导体致冷件所用的材料具有可以制成致冷效果更好、和金属导体焊接更牢固的晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 致冷 所用 材料 晶粒 | ||
【主权项】：
暂无信息
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