[发明专利]一种用斜测电离图反演F2层参数的方法

摘要

本发明提供了一种用斜测电离图反演F2层参数的方法，首先利用等效路径定理和正割定理将斜测电离图寻常波描迹转化为垂测电离图，以垂测电离图的最大频率为初步确定的F2层临界频率，然后从斜测电离图寻常波描迹上获取3组测量数据，高角波数据1组，低角波数据2组，再利用电波射线几何关系，计算出每组测量数据对应的仰角，进而通过测量数据、计算数据与收敛条件的关系，判定解集合中满足收敛条件的方程组的解；本发明解决了临界频率的反演精度高度依赖于高角波数据完整程度的问题，解决了仅使用低角波数据带来的反演结果不稳定的问题，解决了在求解方程组的过程中把仰角也当作待求解未知量的问题，有效提高了反演结果的精度和稳定性。