[发明专利]用于使用远程等离子体化学气相沉积和溅射沉积来生长发光器件中的层的方法在审
| 申请号： | 202110382131.0 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113078243A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | I·维尔德森;P·德布;E·C·尼尔森;J·科巴亚施 | 申请（专利权）人： | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;H01L21/324;H01L33/02;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/36;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 于非凡;陈岚 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述的是用于使用远程等离子体化学气相沉积（RP‑CVD）和溅射沉积来生长发光器件的层的方法。方法包括在生长衬底上生长发光器件结构，并且使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在发光器件结构上生长隧道结。隧道结包括与p型区直接接触的p++层，其中通过使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种来生长p++层。用于生长器件的另一方法包括使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在生长衬底上方生长p型区，并且在该p型区上方生长其他层。用于生长器件的另一方法包括使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在p型区上方生长发光区和n型区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 远程 等离子体 化学 沉积 溅射 生长 发光 器件 中的 方法 | ||
【主权项】：
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