[发明专利]垂直功率半导体器件及制造方法在审
| 申请号： | 202110382152.2 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113517330A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | H-J·舒尔策;C·耶格;M·耶利内克;D·施勒格尔;B·施托伊布 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/265;H01L21/331;H01L21/329;H01L29/739;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;周学斌 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种垂直功率半导体器件（100）。该垂直功率半导体器件（100）包括半导体本体（102），其具有第一主表面（104）和沿着垂直方向（y）与第一主表面（104）相对的第二主表面（106）。垂直功率半导体器件（100）还包括半导体本体（102）中的漂移区（108）。漂移区（108）包括铂原子（109）。垂直功率半导体器件（100）还包括漂移区（108）与第二主表面（106）之间的半导体本体（102）中的场停止区（110）。场停止区（110）包括多个杂质峰（P1、P2）。多个杂质峰（P1、P2）中的第一杂质峰（P1）具有比多个杂质峰（P1、P2）中的第二杂质峰（P2）更大的浓度（c）。第一杂质峰（P1）包括氢，而第二杂质峰（P2）包括氦。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 功率 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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