[发明专利]一种通过BSD后洗净降低重金属及雾状缺陷的方法有效
| 申请号： | 202110382203.1 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113257659B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 卢运增;贺贤汉;洪漪;胡久林 | 申请（专利权）人： | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/04 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 陆叶 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过BSD后洗净降低重金属及雾状缺陷的方法，在BSD工序后，采用如下步骤进行清洗，步骤一，使用预清洗液进行预清洗，预清洗液包括氨水、双氧水以及去离子水，步骤二，蒸馏水清洗；步骤三，一次清洗液浸泡清洗，一次清洗液包括氢氟酸、柠檬酸以及去离子水；氢氟酸、柠檬酸以及去离子水的体积比为15:3～5:55～57，步骤四，二次清洗液浸泡清洗，二次清洗液包括盐酸、双氧水以及去离子水，盐酸以及双氧水的比例为1:1；步骤五，蒸馏水清洗；步骤六，采用硅片甩干机甩干。本专利有效的降低BSD带来的金属Ni以及Cu污染以及外延后雾状缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 bsd 洗净 降低 重金属 雾状 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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