[发明专利]具有气隙结构的半导体元件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110382821.6 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113540119A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 卢立翰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有气隙结构的半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构具有一第一导电接触点以及一第二导电接触点，是设置在一半导体基底上。该半导体元件结构亦包括一第一介电层以及一第二介电层，该第一介电层围绕该第一导电接触点与该第二导电接触点设置，该第二介电层设置在该第一导电接触点、该第二导电接触点以及该第一介电层上。该第一介电层与该半导体基底通过一第一气隙结构而分开设置，该第一介电层与该第二介电层通过一第二气隙结构而分开设置，且所述多个气隙结构降低在所述多个导电特征之间的电容耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 结构 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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