[发明专利]一种功率开关器件结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202110383111.5 申请日: 2021-04-09
公开(公告)号: CN113299754A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 郭亮良 申请(专利权)人: 瑶芯微电子科技(上海)有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 刘星
地址: 201207 上海市浦东新区中国(上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种功率开关器件结构及其制作方法,该功率开关器件结构包括漏极层、衬底、第一导电类型外延层、层间介质层、源极层及栅极层,其中外延层中含有栅极沟槽与耐压沟槽;所述栅极沟槽中的第一控制栅层与第二控制栅层电连接至所述栅极层,屏蔽栅层、第二导电类型体区及第一导电类型源区电连接至所述源极层,所述耐压沟槽中的第一导电层、第二导电层、第三导电层、所述耐压沟槽左侧第二导电类型体区及所述耐压结构右侧的第二导电类型体区电连接至所述源极层。本发明的功率开关器件结构中的沟槽栅结构能够降低栅漏电容Cgd,耐压结构能够增大漏源电容Cds及增强器件的耐压能力,进而有效的提高了功率开关器件的抗漏极电压震荡能力和耐压能力。
搜索关键词: 一种 功率 开关 器件 结构 及其 制作方法
【主权项】:
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