[发明专利]一种功率开关器件结构及其制作方法在审
申请号: | 202110383111.5 | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN113299754A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 郭亮良 | 申请(专利权)人: | 瑶芯微电子科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 刘星 |
地址: | 201207 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种功率开关器件结构及其制作方法,该功率开关器件结构包括漏极层、衬底、第一导电类型外延层、层间介质层、源极层及栅极层,其中外延层中含有栅极沟槽与耐压沟槽;所述栅极沟槽中的第一控制栅层与第二控制栅层电连接至所述栅极层,屏蔽栅层、第二导电类型体区及第一导电类型源区电连接至所述源极层,所述耐压沟槽中的第一导电层、第二导电层、第三导电层、所述耐压沟槽左侧第二导电类型体区及所述耐压结构右侧的第二导电类型体区电连接至所述源极层。本发明的功率开关器件结构中的沟槽栅结构能够降低栅漏电容Cgd,耐压结构能够增大漏源电容Cds及增强器件的耐压能力,进而有效的提高了功率开关器件的抗漏极电压震荡能力和耐压能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 开关 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑶芯微电子科技(上海)有限公司,未经瑶芯微电子科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110383111.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种真空自耗电弧熔炼铜铬触头材料组织优化方法
- 下一篇:校正装置和校正方法
- 同类专利
- 专利分类