[发明专利]半导体装置及电子设备在审
申请号: | 202110383436.3 | 申请日: | 2016-04-11 |
公开(公告)号: | CN113314545A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 福留贵浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1345 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;刘春元 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的一个方式的目的之一是提供一种开口率得到提高的半导体装置。此外,提供一种能够减少功耗的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置,包括:第一布线、第二布线、第三布线、第一驱动电路、第二驱动电路以及单元阵列,其中,单元阵列包括包含晶体管和存储电容器的多个单元。第一布线电连接于第一驱动电路,第二布线电连接于第二驱动电路,晶体管配置在第二布线的上方,第二布线在与晶体管重叠的区域中包括用作晶体管的第一栅电极的区域,第三布线配置在晶体管的上方并包括与第二布线重叠的区域,并且,第二布线在单元阵列的外侧的区域中与第三布线电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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