[发明专利]一种晶圆背面金属沉积工艺在审
| 申请号： | 202110385120.8 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113113298A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;李景贤;文锺;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/268;H01L21/285;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 张恩慧 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶圆背面金属沉积工艺，包括以下步骤：S1、通过钻石刀轮在晶圆正面对应切割道处开设SAW槽；S2、通过激光加蚀刻在SAW槽底部中间开设窄沟槽；S3、在晶圆正面涂装Dry F i lm；S4、将晶圆正面键合玻璃载板；S5、翻转玻璃载板，通过研磨蚀刻的方式将晶圆背面减薄至裸露出窄沟槽；S6、制作晶圆背面元件，通过蒸镀或溅镀于减薄后晶圆背面沉积金属镀层，沉积的金属镀层于窄沟槽处自动断开；S7、将完成金属沉积后的晶圆送至后续晶圆制程。本发明通过在晶圆正面开设不同宽度的SAW槽和窄沟槽，使金属沉积时金属层在窄沟槽内自动断开，在后续的晶粒切割时无需进行金属切割，可以有效防止因金属切割时变化的剪切应力使晶圆崩裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 金属 沉积 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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