[发明专利]谐振式微压传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110386030.0 申请日: 2021-04-09
公开(公告)号: CN113091989A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 王军波;张森;陈德勇;鲁毓岚;谢波;郑宇 申请(专利权)人: 中国科学院空天信息创新研究院
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘歌
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种谐振式微压传感器及其制备方法,该谐振式微压传感器自下而上依次包括:衬底层、埋氧层、器件层以及封装盖板;衬底层包括压力敏感膜以及设置在压力敏感膜上的第一凸台,所述第一凸台用于构造应力集中区,提高谐振式微压传感器的压力灵敏度,同时提高压力敏感膜的刚度;所述器件层包括:第一谐振单元、第二谐振单元以及包括多个硅岛单元的硅岛区。本发明的谐振式微压传感器同时通过压力敏感膜上的凸台设计,构造应力集中区;并将第一谐振单元和第二谐振单元分别置于正应力和负应力最大的区域,提高了微压传感器的压力灵敏度;此外压力敏感膜上的第一凸台,还将调整压力敏感膜特征频率,使谐振单元在工作范围内避开压力敏感膜的模态干扰。
搜索关键词: 谐振 式微 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
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