[发明专利]一种转印头、转印头阵列及微LED巨量转移方法有效
| 申请号： | 202110386214.7 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN112786520B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;李国梁;东芳 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/48 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 杨宏伟 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种转印头、转印头阵列及微LED巨量转移方法，转印头包括基体和开设于基体上形状记忆聚合物容纳腔、微LED容纳腔，形状记忆聚合物容纳腔内设有形状记忆聚合物，多个转印头以阵列的形式安装在转移基板上组成转印头阵列；首先控制形状记忆聚合物处于第一形态，将转印头阵列对准需要转移的微LED，升温，使得形状记忆聚合物处于第二形态，形状记忆聚合物侧向膨胀挤压微LED，将微LED夹持，之后将微LED移动至目标基板，连接好LED后，降温，使得形状记忆聚合物恢复第一形态，释放LED，完成一次巨量转移。本发明结构简单，对微LED本身没有任何要求，转移效率高，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 转印头 阵列 led 巨量 转移 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学，未经武汉大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110386214.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
