[发明专利]一种原位生成SiC掺杂Gd2 有效
申请号: | 202110387501.X | 申请日: | 2021-04-10 |
公开(公告)号: | CN113105238B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 姜伯晨;曹将栋;王建涛;陈涵麟;姚达;孙萍;黄健;王金龙 | 申请(专利权)人: | 江苏航运职业技术学院 |
主分类号: | C04B35/50 | 分类号: | C04B35/50;C04B35/622;C04B35/63 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤牡丹 |
地址: | 226000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种SiC掺杂Gd2Zr2O7热障涂层陶瓷层材料及其制备方法,所述SiC掺杂Gd2Zr2O7热障涂层陶瓷层材料化学式Gd2Zr2O7‑XTiSi2‑YC(X=0‑5wt%,Y=0‑1.7wt%),Gd2Zr2O7‑XTiSi2‑YC(X=0‑5wt%,Y=0‑1.7wt%)系列热障涂层陶瓷层材料,具有以下显著优点:掺杂不同含量的原位生成的第二相物质SiC后,在1500℃下仍然能够保持良好的高温相稳定性和较好的抗烧结性,与传统的Gd2Zr2O7热障涂层陶瓷材料相比,本发明在1000℃高温下热膨胀系数可达到11W/m.K,其1000℃热导率可达到0.6‑0.7W·m‑1·k‑1,断裂韧性提高至1.5‑1.6MPa·m1/2,完全有潜力作为耐高温的热障涂层陶瓷层材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 原位 生成 sic 掺杂 gd base sub | ||
【主权项】:
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