[发明专利]原位氟掺杂的金属氧化物薄膜及其制备方法和薄膜晶体管在审
| 申请号： | 202110387776.3 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113223968A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陈荣盛;尹雪梅;钟伟;李国元;邓孙斌;郭海成 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;H01L29/24;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黎扬鹏 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种原位氟掺杂的金属氧化物薄膜及其制备方法和薄膜晶体管，其中制备方法包括以下步骤：在基片上沉积一层材料为原位氟掺杂的锡锌氧化物的薄膜；所述薄膜为非晶型的微观结构；沉积时，所述基片上的温度为20℃～200℃。薄膜晶体管包括有源层，所述有源层采用上述的制备方法制成。本发明提供一种简单的原位氟掺杂的锡锌氧化物薄膜的制备方法，为薄膜晶体管提供新的制备方式，具有更加环保和低成本的优点。本发明可广泛应用于半导体技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 掺杂 金属 氧化物 薄膜 及其 制备 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
